站内搜索 |
首页 > 欢迎光临
为此,BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET,该系列产品进一步优化钝化层,提升可靠性,相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗,以及更高可靠性等优越性能,可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求,BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET,产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。 针对新能源汽车的应用需求,BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET,可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。 B3M040120Z是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的... [详细介绍] |